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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 32gb ddr5

消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳,影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道,三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm (IT之家注:即 12nm 級) LPDDR 內(nèi)存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn),后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
  • 關鍵字: 三星  內(nèi)存  DDR5  

SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調(diào):“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備,從明年開始供應產(chǎn)品,引領半導體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
  • 關鍵字: SK海力士  第六代  10納米級  DDR5 DRAM  

最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

  • 隨著游戲要求越來越高,DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴大。
  • 關鍵字: DDR4  DDR5  

美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關鍵內(nèi)存產(chǎn)品

  • 近日,美光科技宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,其速率在所有主流服務器平臺上均高達5600MT/s。據(jù)介紹,該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領先的1β(1-beta)制程技術,相較于采用3DS硅通孔(TSV)技術的競品,容量密度提升45%以上,1能效提升高達22%,2延遲降低高達16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對數(shù)據(jù)中心常見的任務關鍵型應用,包括人工智能(AI)和機器學習(ML)、高性能計算(HPC)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMD
  • 關鍵字: DRAM芯片  美光科技  DDR5  

累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%

  • 5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào),目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價,三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元,環(huán)比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
  • 關鍵字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上漲  

AmpereOne-3 芯片明年亮相:256核,支持 PCIe 6.0 和 DDR5

  • 4 月 27 日消息,Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時表示,將于今年晚些時候推出 AmpereOne-2,配備 12 個內(nèi)存通道,改進性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%,內(nèi)存帶寬將增加多達 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ,計劃在 2025 年發(fā)布,擁有 256 個核心,采用臺積電的 3nm(3N)工藝蝕刻。附上路線圖如下:AmpereOne-3 將采用改進后的
  • 關鍵字: AmpereOne-3  芯片  256核  PCIe 6.0  DDR5  

消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲空間增加到 32GB,共有三個版本

  • 3 月 25 日消息,據(jù)外媒 SamMobile 報道,Galaxy Unpacked 活動將于2024 年 7 月舉行,比以往要提前幾周?,F(xiàn)在,關于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?!鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料,三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個版本,比以往多一個,但仍然不知道被命名為什么。三星還升級新品的存儲空間,將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB,用來存儲戶外鍛煉的離線音樂、應用程序以及
  • 關鍵字: 三星  Galaxy Watch 7  存儲  32GB  

消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息,據(jù)報道,三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存(將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
  • 關鍵字: 三星  32Gb DDR5  內(nèi)存芯片  

大廠有意擴產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復蘇明確,包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司,去年12月營收呈現(xiàn)月增,且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴產(chǎn),為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露,公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度,NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴產(chǎn),國內(nèi)存儲器廠商則認為,海力士擴廠應集中在DDR5和HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)品為主,因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4,不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
  • 關鍵字: DDR5  HBM  內(nèi)存  TrendForce  

存儲模組廠商積極發(fā)力DDR5

  • 隨著PC與服務器領域平臺不斷推陳出新,DDR5日益受到市場青睞。除了原廠持續(xù)布局外,近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5,并持續(xù)看好這類產(chǎn)品后續(xù)發(fā)展。威剛對外表示,現(xiàn)階段觀察到存儲市場需求端主要來自于PC,客戶需求明顯好轉,且隨著PC存儲器容量提升,預期明年上半年DDR5將會超越DDR4,形成黃金交叉。以目前現(xiàn)貨市場來看,DDR5單價較DDR4高四至五成,對威剛而言,DDR5比重提升,有助毛利率表現(xiàn)。產(chǎn)品布局方面,威剛DDR5主攻電競市場,已推出LANCER BLADE RGB DDR
  • 關鍵字: 存儲模組  DDR5  

存儲器大廠積極布局,DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來,ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲,加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新,HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞,存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5:美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內(nèi)存,速率高達 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外,該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術,相比上一代產(chǎn)品,性能提升高
  • 關鍵字: 存儲器  DDR5  HBM  

DDR5 成競逐焦點

  • 如今,無論是 PC、筆記本電腦還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀元邁進。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大模型應用的 AI 服務器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么,DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢?以及它如何成為未來存儲市場的焦點?DDR3、DDR4 再到 DDR5在過去的十多年,DDR3 內(nèi)存是服務器中常用的內(nèi)存標準,其時鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等,適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等,隨
  • 關鍵字: DDR5  北京君正  瀾起科技  

美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存,目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力,并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺,支持AI訓練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存,以其領先1β制程節(jié)點技術,美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達7,200MT/s,相較于前一代產(chǎn)品,效能可提升50%,每瓦效能功耗可降低33%。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品,在現(xiàn)有模塊化密度中,速率可達4,800MT/s至7,200MT/s,適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應用。
  • 關鍵字: 美光  高速內(nèi)存  DDR5  

DDR5時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能(AI)、機器學習(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的重要演進,極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。如今,無論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加
  • 關鍵字: DDR5  Cadence  Sigrity X  

明年,DDR5內(nèi)存或將成為主流

  • 據(jù)媒體引述內(nèi)存模組制造商表示,主要半導體制造商正在增加DDR5內(nèi)存的可用容量,該內(nèi)存預計將在2024年成為主流。預計到2023年底,他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存,又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4,DDR5在帶寬,頻率上優(yōu)勢都是非常明顯的。今年來,DDR5的動態(tài)頻繁傳來:三星方面,該公司于今年5月量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM,于9月已成功開發(fā)12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示,全新12
  • 關鍵字: DDR5  內(nèi)存    
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